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An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection
《Journal of Semiconductors》2012年第10期25-28,共4页王新建 宋航 李志明 蒋红 黎大兵 缪国庆 陈一仁 孙晓娟 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.51072196,51072195)
An AlN photoconductor for X-ray detection has been fabricated,and its response to X-ray irradiation intensity is studied.The photoconductor has a very low leakage current,less than 0.1 nA at an applied voltage of 100 ...
关键词:AlN photoconductor X-ray detection recombination 
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