国家高技术研究发展计划(715-010-0022)

作品数：1被引量：1H指数：1
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AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第z1期83-86,共4页肖细凤 康俊勇 
国家"863"计划(批准号715-010-0022);国家自然科学基金(批准号69976023);福建省自科学基金(批准号A0020001)以及教育部基金部分资助课题
在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域...
关键词：AlGaAs∶Sn 第一原理赝势法 类DX中心. 
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