MAGNETOSTATIC

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Control of Threshold and Gain of Parametric Amplification in Magnetoactive III-V Piezoelectric Semiconductors
《Journal of Modern Physics》2011年第8期771-779,共9页Bhajan Lal P Aghamkar 
The effect of doping concentrations and a transverse external magnetostatic field on operational characteristics of parametric amplification of backward Stokes signal has been studied, using hydrodynamic model of semi...
关键词：PARAMETRIC GAIN PIEZOELECTRICITY MAGNETOSTATIC Field Doped III-V Semiconductor 
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