GEOI

作品数：10被引量：6H指数：2
导出分析报告
相关作者：郝跃戴显英张鹤鸣许军王敬更多>>
相关机构：西安电子科技大学华中科技大学清华大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《半导体技术》《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市浦江人才计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究被引量：2
《物理学报》2011年第7期779-783,共5页胡美娇 李成 徐剑芳 赖虹凯 陈松岩 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404);国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001)资助的课题~~
采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧...
关键词：GEOI 氧化 退火 光致发光谱 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部