GEOI

作品数：10被引量：6H指数：2
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硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备
《半导体技术》2018年第9期689-696,共8页张润春 黄凯 林家杰 鄢有泉 伊艾伦 周民 游天桂 欧欣 
上海市浦江人才计划资助项目(17PJ1410500)
智能剥离技术是制备绝缘体上锗（GeOI）衬底的常用方法。然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合。通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理论分析,建立了硅锗双平板热应力模...
关键词：绝缘体上锗(GeOI) 异质集成 智能剥离 晶圆键合 热应力 
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