METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
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Wet thermal annealing effect on TaN/HfO_2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO_2 passivation layer被引量：3
《Chinese Physics B》2012年第11期467-473,共7页刘冠洲 李成 路长宝 唐锐钒 汤梦饶 吴政 杨旭 黄巍 赖虹凯 陈松岩 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61176092,61036003,and 60837001);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2012CB933503);the Ph.D. Program Foundation of Ministry of Education of China (Grant No. 20110121110025);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China (Grant No. 2010121056)
Wet thermal annealing effects on the properties of TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor （MOS） structures with and without a GeO2 passivation layer are investigated. The physical and the electrical properties are ch...
关键词：HfO2 dielectric on germanium X-ray photoemission spectroscopy wet thermal anneal-ing metal-oxide semiconductor capacitor 
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