METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
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Low working loss Si/4H-SiC heterojunction MOSFET with analysis of the gate-controlled tunneling effect
《Journal of Electronic Science and Technology》2023年第4期35-47,共13页Hang Chen You-Run Zhang 
the Major Science and Technology Program of Anhui Province under Grant No.2020b05050007.
A silicon (Si)/silicon carbide (4H-SiC) heterojunction double-trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) (HDT-MOS) with the gate-controlled tunneling effect is proposed for the first time based ...
关键词：HETEROJUNCTION On-state resistance Silicon carbide(4H-SiC)trench metal-oxide-semiconductor field effect transistors(MOSFETs) Switching loss 
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