SUBMICRON

作品数:139被引量:261H指数:9
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Effects of heavy ion irradiation on ultra-deep-submicron partially-depleted SOI devices被引量:1
《Journal of Semiconductors》2015年第11期39-43,共5页武唯康 安霞 谭斐 冯慧 陈叶华 刘静静 张兴 黄如 
The effects of the physical damages induced by heavy ion irradiation on the performance of partiallydepleted SOI devices are experimentally investigated. After heavy ion exposure, different degradation phenomena are o...
关键词:heavy ion displacement damages PDSOI performance degradation 
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