PBTI

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Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process
《Journal of Semiconductors》2015年第1期86-89,共4页任尚清 杨红 唐波 徐昊 罗维春 唐兆云 徐烨锋 许静 王大海 李俊峰 闫江 赵超 陈大鹏 叶甜春 王文武 
Project supported by the Important National Science&Technology Specific Projects(No.2009ZX02035);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61176091,61306129)
Positive bias temperature instability（PBTI） characteristics and degradation mechanisms of NMOSFET with high-k/metal gate last process have been systematically investigated. The time evolution of threshold voltage sh...
关键词：positive bias temperature instability（PBTI） high-k metal gate 
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