云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- PBTI

PBTI: 作品数：16被引量：3H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：易茂祥丁力邵川缪永李扬更多>>; 相关机构：合肥工业大学中国科学院大学江苏商贸职业学院湖北科技学院更多>>; 相关期刊：《北京大学学报（自然科学版）》《Chinese Physics B》《Journal of Advanced Dielectrics》《仪器仪表学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>

PbTi_(0.85)Ni_(0.15)O_(3)/TiO_(2)纳米棒阵列复合材料的压电光催化性能被引量：1: 《复合材料学报》2024年第3期1367-1377,共11页周小桔钱俊胡正龙任一鸣; 国家自然科学基金(5150211);湖北科技学院科研项目(2020-22 GP08);横向项目(2023 HX031)。; 压电材料诱导的内建电场是调节电荷转移途径和抑制载流子复合的最有效策略之一。采用水热和溶胶凝胶两步法制备了PbTi0.85Ni0.15O3/TiO_(2)纳米棒阵列复合材料。通过降解有机染料,复合材料展现了优异的压电光催化性能。经30 min,PbTi_(0...; 关键词：PbTi_(0.85)Ni_(0.15)O_(3)/TiO_(2) 复合材料压电光催化降解能带倾斜

N-IGBT正偏压温度不稳定性阈值电压综合退化模型被引量：2: 《仪器仪表学报》2022年第4期60-69,共10页孙豪何怡刚袁伟博王涛; 装备预先研究重点项目(41402040301)资助。; N型绝缘栅双极型晶体管(N-IGBT)凭借其优良性能广泛应用于现代工业各个领域,预测特定条件下器件退化情况对提高N-IGBT可靠性具有重要意义。然而,随着N-IGBT制程的降低,因正偏压温度不稳定性(PBTI)造成的栅氧化层退化进一步加剧,退化宏...; 关键词：N-IGBT PBTI 加速退化阈值电压综合退化模型

Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices: 《Chinese Physics B》2022年第1期529-534,共6页Ren-Ren Xu Qing-Zhu Zhang Long-Da Zhou Hong Yang Tian-Yang Gai Hua-Xiang Yin Wen-Wu Wang; the Science and Technology Program of Beijing Municipal Science and Technology Commission,China(Grant No.Z201100004220001);the National Major Project of Science and Technology of China(Grant No.2017ZX02315001);the Opening Project of Key Laboratory of Microelectronic Devices&Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences(Grant Nos.Y9YS05X002 and E0YS01X001).; A comprehensive study of the negative and positive bias temperature instability(NBTI/PBTI)of 3D FinFET devices with different small channel lengths is presented.It is found while with the channel lengths shrinking fro...; 关键词：bias temperature instability(BTI) channel length stress FINFET

PBTI stress-induced 1/f noise in n-channel FinFET: 《Chinese Physics B》2020年第12期536-541,共6页Dan-Yang Chen Jin-Shun Bi Kai Xi Gang Wang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61634008).; The influence of positive bias temperature instability(PBTI)on 1/f noise performance is systematically investigated on n-channel fin field-effect transistor(FinFET).The FinFET with long and short channel(L=240 nm,16 n...; 关键词：PBTI 1/f noise FINFET mobility fluctuation

Effect of overdrive voltage on PBTI trapping behavior in GaN MIS-HEMT with LPCVD SiNx gate dielectric: 《Chinese Physics B》2020年第3期340-345,共6页Tao-Tao Que Ya-Wen Zhao Liu-An Li Liang He Qiu-Ling Qiu Zhen-Xing Liu Jin-Wei Zhang Jia Chen Zhi-Sheng Wu Yang Liu; Project supported by the National Key Research and Development Program,China(Grant No.2017YFB0402800);the Key Research and Development Program of Guangdong Province,China(Grant No.2019B010128002);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.U1601210);the Natural Science Foundation of Guangdong Province,China(Grant No.2015A030312011)。; The effect of high overdrive voltage on the positive bias temperature instability(PBTI)trapping behavior is investigated for GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT)with LPCVD-Si...; 关键词：gallium nitride LPCVD-SiNx MIS-HEMTs overdrive voltage TRAPPING BEHAVIOR

Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks: 《Science China(Information Sciences)》2020年第2期248-250,共3页Hong YANG Luwei QI Yanbo ZHANG Bo TANG Qianqian LIU Hao XU Xueli MA Xiaolei WANG Yongliang LI Huaxiang YIN Junfeng LI Huilong ZHU Chao ZHAO Wenwu WANG Tianchun YE; financially supported by National Key Project of Science and Technology of China(Grant Nos.2017ZX02315001-002,2019ZX02303).; Dear editor,High k/metal gate(HKMG)stacks with fully gatelast processing have become the primary solution for sub-22-nm volume manufacturing with the development of complementary oxide semiconductor(CMOS)technology[1]...; 关键词：red Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks ALD FINFET

Studies of dielectric and piezoelectric properties of PbTi_(0.8-x)Te_(0.2)Gd_(x)O_(3)nano ceramics prepared by high energy ball milling: 《Journal of Advanced Dielectrics》2019年第2期45-49,共5页S.K.Sinha S.Kumari R.K.Chaudhary; Incorporation of Te and Gd were done based on the stoicheometric formula PbTi_(0.8-x)Te_(0.2)Gd_(x)O_(3)(PTTeG).TG characterization of green powder revealed the completion of solid state reaction at temperature 450℃....; 关键词：Lead titanate high energy ball milling chalcogenide tellurium dielectrics.

蓝星高流动型改性PBTI程塑料确保产品安全性: 《橡塑智造与节能环保》2017年第9期24-25,共2页; 近年来，美国、欧盟、日本等发达国家对塑料在家用电子电器上要求材料必须通过灼热丝起燃温度（GWIT）试验（按照IEC60675—2—13标准）750℃以上标准，加之市场对降低火灾隐患的安全性需求以及提高零部件耐久性的材料需求日益高涨。; 关键词：产品安全性塑料流动型改性起燃温度电子电器发达国家火灾隐患

基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模: 《合肥工业大学学报（自然科学版）》2017年第4期572-576,共5页李扬易茂祥缪永邵川丁力; 国家自然科学基金资助项目(61371025;61274036;61300212;61306049);南通市应用基础研究科技计划资助项目(GY12015037); 针对传统反应扩散(reaction-diffusion,R-D)机制不适合纳米互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)集成电路正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)老化效应分析的问题,文章采...; 关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 电荷俘获-释放老化时延退化预测模型

协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法: 《合肥工业大学学报（自然科学版）》2016年第12期1655-1660,共6页甘应贤易茂祥张林袁野欧阳一鸣梁华国; 国家自然科学基金资助项目(61371025;61474036;61274036); 文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑...; 关键词：晶体管老化正偏置温度不稳定性(嗍) 热载流子注入(HCI)效应堆叠效应占空比开关概率

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

PBTI

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

PBTI

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索