SUBSTITUTIONAL

作品数：33被引量：20H指数：2
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相关领域：理学更多>>
相关作者：刘义余皓王红娟段文晖杨剑更多>>
相关机构：清华大学华南理工大学中国科学院金属研究所更多>>
相关期刊：《Tungsten》《Chinese Journal of Chemical Physics》《Science China(Information Sciences)》《Journal of Rare Earths》更多>>
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Metal dopants in HfO_2-based RRAM: first principle study
《Journal of Semiconductors》2014年第4期25-31,共7页赵远洋 汪家余 徐建彬 杨菲 刘琦 代月花 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61376106)
Based on density-functional theory （DFT）, the effects of metal dopants in HfO2-based RRAM are studied by the Vienna ab initio simulation package （VASP）, Metal dopants are classified into two types （interstitial a...
关键词：RRAM metal dopant conduction filament INTERSTITIAL SUBSTITUTIONAL 
A first-principle investigation of the oxygen defects in Si_3N_4-based charge trapping memories
《Journal of Semiconductors》2014年第1期40-45,共6页罗京 卢金龙 赵宏鹏 代月花 刘琦 杨金 蒋先伟 许会芳 
supported by the National Youth Science Foundation of China(No.61006064)
Based on first principle calculations, a comprehensive study of substitutional oxygen defects in hexagonal silicon nitride （β-Si3N4） has been carried out. Firstly, it is found that substitutional oxygen is most lik...
关键词：charge trapping memory silicon nitride substitutional oxygen capturing property FIRST-PRINCIPLE 
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