SUBSTITUTIONAL

作品数：33被引量：20H指数：2
导出分析报告
相关领域：理学更多>>
相关作者：刘义余皓王红娟段文晖杨剑更多>>
相关机构：清华大学华南理工大学中国科学院金属研究所更多>>
相关期刊：《Tungsten》《Chinese Journal of Chemical Physics》《Science China(Information Sciences)》《Journal of Rare Earths》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Science China（Information Sciences）x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GeC film with high substitutional carbon concentration formed by ion implantation and solid phase epitaxy for strained Ge n-MOSFETs被引量：1
《Science China(Information Sciences)》2018年第6期255-257,共3页Bingxin ZHANG Xia AN Xiangyang HU Ming LI Xing ZHANG Ru HUANG 
National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61421005,61534004,60806033,61474004);National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2015AA016501);National Key Research and Development Plan(Grant No.2016YFA0200504)
Dear editor,Ge is considered as a promising channel material to replace Si because of its high carrier mobility than Si and compatibility with conventional Si process[1–3].Strain engineering has been widely used in S...
关键词：GeC film with high substitutional carbon concentration formed by ion implantation and solid phase epitaxy for strained Ge n-MOSF HRTEM SPE 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部