ASPECT-RATIO

作品数：12被引量：15H指数：3
导出分析报告
相关领域：理学更多>>
相关期刊：《Communications in Theoretical Physics》《Chinese Physics Letters》《Earthquake Engineering and Engineering Vibration》《Light(Advanced Manufacturing)》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Disordered wall arrays by photo-assisted electrochemical etching in n-type silicon被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第10期88-92,共5页雷耀虎 赵志刚 郭金川 李冀 牛憨笨 
Project supported by the National Special Foundation of China for Major Science Instrument (No. 61227802);the National Natural Science Foundation of China (No. 61405120);the National Program on Key Basic Research Project (No. 2012CB825802);the China Postdoctoral Science Foundation (No. 2014M552224)
The fabrication of ordered, high aspect-ratio microstructures in silicon by use of photo-assisted electrochemical etching is an important technology, where voltage and current density are significant factors. In this ...
关键词：electrochemical etching wall array high aspect-ratio SILICON disordered wall 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部