HOT-CARRIER

作品数:18被引量:14H指数:3
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:刘斯扬钱钦松孙伟锋王金延张兴更多>>
相关机构:北京大学东南大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊:《InfoMat》《Chinese Physics B》《npj Computational Materials》《Journal of Electronics(China)》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 主题=MOSFETSx
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
Anomalous Channel Length Dependence of Hot-Carrier-Induced Saturation Drain Current Degradation in n-Type MOSFETs
《Chinese Physics Letters》2015年第8期193-195,共3页张春伟 刘斯扬 孙伟锋 周雷雷 张艺 苏巍 张爱军 刘玉伟 胡久利 何骁伟 
Supported by Hong Kong,Macao and Taiwan Science&Technology Cooperation Program of China under Grant No2014DFH10190;the Distinguished Young Scientists Foundation of Jiangsu Province under Grant No BK20130021;the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61204083 and 61306092;the Qing Lan Project
The dependencies of hot-carrier-induced degradations on the effective channel length Lch,eff are investigated for n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFETs). Our experiments find that, with d...
关键词:Anomalous Channel Length Dependence of Hot-Carrier-Induced Saturation Drain Current Degradation in n-Type MOSFETs 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部