ETCH

作品数:54被引量:55H指数:4
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:范学丽章志兴徐斌刘钧松丁娟更多>>
相关机构:上海富乐德智能科技发展有限公司北京京东方光电科技有限公司深圳市华星光电技术有限公司上海华力集成电路制造有限公司更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=Journal of Microelectronic Manufacturingx
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
Nitridation-Etch of Silicon Oxide in Fluorocarbon/Nitrogen Plasma:A Computational Study
《Journal of Microelectronic Manufacturing》2019年第1期19-26,共8页Du Zhang Yu-Hao Tsai Hojin Kim Mingmei Wang 
The continually increasing number of silicon oxide(SiO2)and nitride(Si3N4)layers in 3D-NAND offers both motivations and challenges for developing all-in-one plasma etch solutions for etching SiO2 and Si3N4 at a select...
关键词:3D-NAND oxide NITRIDE OXYNITRIDE plasma ETCH molecular dynamics quantum chemistry 
Silicon Nitride Etch via Oxidation Reaction in Fluorocarbon/Oxygen Plasma:A First-Principle Study被引量:1
《Journal of Microelectronic Manufacturing》2018年第1期2-10,共9页Yu-Hao Tsai Du Zhang Mingmei Wang 
Conducting all-in-one etch process for 3D-NAND fabrication requires close etch rate(E/R)for SiO2 and Si3N4;however,to attain comparable and high etch rate for both materials is challenging.In this work,we performed fi...
关键词:3D-NAND oxide NITRIDE OXYNITRIDE plasma ETCH FIRST-PRINCIPLE 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部