ETCH

作品数：54被引量：55H指数：4
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Interface and border trapping effects in normally-off Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs with different post-etch surface treatments被引量：1
《Chinese Physics B》2020年第10期459-463,共5页Si-Qi Jing Xiao-Hua Ma Jie-Jie Zhu Xin-Chuang Zhang Si-Yu Liu Qing Zhu Yue Hao 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61704124, 11690042, and 61634005).
Trapping effect in normally-off Al2O3/AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor (MOS) high-electron-mobility transistors (MOS-HEMTs) with post-etch surface treatment was studied in this paper. Diffusion-controlled interfa...
关键词：AlGaN/GaN MOS-HEMTs interface traps border traps photo-assisted C-V measurement 
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