NANODEVICE

作品数：24被引量：23H指数：3
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Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell被引量：1
《Chinese Physics B》2017年第8期536-541,共6页叶兵 刘杰 王铁山 刘天奇 罗捷 王斌 殷亚楠 姬庆刚 胡培培 孙友梅 侯明东 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11690041 and 11675233)
This paper presents a simulation study of the impact of energy straggle on a proton-induced single event upset （SEU） test in a commercial 65-nm static random access memory cell. The simulation results indicate that ...
关键词：single event upset energy straggle proton irradiation NANODEVICE 
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