SNAPBACK

作品数：24被引量：35H指数：3
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Snapback应力引起的90nm NMOSFET’s栅氧化层损伤研究被引量：4
《物理学报》2007年第2期1075-1081,共7页朱志炜 郝跃 马晓华 曹艳荣 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题~~
实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,陷落的空穴会与隧穿入氧化层中的电子复合形成大量中性电子陷阱,使得栅隧穿电流不断增大.这些氧化层电子...
关键词：突发击穿 软击穿 应力引起的泄漏电流 热电子应力 
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