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作品数：24被引量：35H指数：3
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A snapback suppressed reverse-conducting IGBT with uniform temperature distribution被引量：2
《Chinese Physics B》2014年第1期513-518,共6页刘念 罗小光 章毛连 
Project supported by the National Science and Technology Major Project, China （Grant No. 2011ZX02504-003）, the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 61076082）, and the Fundamental Research Funds for the Central Universities, China （Grant No. ZYGX2011 J024）.
A novel reverse-conducting insulated-gate bipolar transistor （RC-IGBT） featuring a floating P-plug is proposed. The P-plug is embedded in the n-buffer layer to obstruct the electron current from flowing directly to ...
关键词：reverse-conducting insulated-gate BIPOLAR transistor snapback temperature reliability 
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