SNAPBACK

作品数：24被引量：35H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃陈万军张波马晓华朱志炜更多>>
相关机构：电子科技大学西安电子科技大学中国电子科技集团第五十八研究所江南大学更多>>
相关期刊：《Chinese Journal of Electronics》《Journal of Civil Engineering and Architecture》《Research》《物理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金重庆市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 作者=吴蓉x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期461-466,共6页王永顺 李海蓉 吴蓉 李思渊 
The reverse snapback phenomena （RSP） on I-V characteristics of static induction thyristors （SITH） are physically researched. The I-V curves of the power SITH exhibit reverse snapback phenomena, and even turn to th...
关键词：power static induction thyristor reverse snapback electron-hole plasma LIFETIME injection level 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部