REPETITIVE

作品数：180被引量：424H指数：11
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Degradation and breakdown behaviors of SGTs under repetitive unclamped inductive switching avalanche stress被引量：1
《Chinese Physics B》2022年第9期482-487,共6页Chenkai Zhu Linna Zhao Zhuo Yang Xiaofeng Gu 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61504049);Jiangsu Province Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2018K057B);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China(Grant No.JUSRP51510).
The repetitive unclamped inductive switching(UIS)avalanche stress is conducted to investigate the degradation and breakdown behaviors of conventional shield gate trench MOSFET(C-SGT)and P-ring SGT MOSFETs(P-SGT).It is...
关键词：shield gate trench MOSFET repetitive unclamped inductive switching stress DEGRADATION static and dynamic parameters 
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