LONG-WAVELENGTH

作品数：40被引量：39H指数：3
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GaAs-based long-wavelength InAs bilayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy
《Journal of Semiconductors》2011年第8期10-13,共4页朱岩 李密锋 贺继方 喻颖 倪海桥 徐应强 王娟 贺振宏 牛智川 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.10734060,90921015);the National Basic Research Program of China(Nos.2007CB936304,2010CB327601)
Molecular beam epitaxy growth of a bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure on a pure GaAs matrix has been systemically investigated.The influence of growth temperature and the InAs deposition of both layers on...
关键词：InAs bilayer quantum dots molecular beam epitaxy long wavelength photoluminescence 
A Broadband Long-Wavelength Superluminescent Diode Based on Graded Composition Bulk InGaAs
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2309-2314,共6页丁颖 王圩 阚强 王宝军 周帆 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(批准号:90101023)~~
A novel unselective regrowth buried heterostructure long-wavelength superluminescent diode （SLD） with a graded composition bulk InGaAs active region is developed by metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE）. At a 1...
关键词：BROADBAND superluminescent diodes graded composition buried hetero-structure 
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