SPIVAK

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Random-Gate-Voltage Induced Al'tshuler–Aronov–Spivak Effect in Topological Edge States
《Chinese Physics Letters》2021年第11期7-12,共6页Kun Luo Wei Chen Li Sheng D.Y.Xing 
Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 12074172, 11674160, and 11974168);the Startup Grant at Nanjing University;the State Key Program for Basic Researches of China (Grant No. 2017YFA0303203);the Excellent Programme at Nanjing University。
Helical edge states are the hallmark of the quantum spin Hall insulator. Recently, several experiments have observed transport signatures contributed by trivial edge states, making it difficult to distinguish between ...
关键词：AAS Spivak Effect in Topological Edge States Aronov Random-Gate-Voltage Induced Al'tshuler 
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