功耗延时积

作品数：8被引量：9H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：邢座程李少青谭全林夏银水熊凯更多>>
相关机构：国防科学技术大学宁波大学西安电子科技大学中国科学院自动化研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《无线通信技术》《电子设计工程》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家部委预研基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高性能SRAM的低功耗设计被引量：3
《微电子学》2009年第6期760-764,共5页熊凯 谭全林 邢座程 李少青 
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2007AA01Z102)
采用0.13μm标准CMOS工艺,全定制设计实现了一款8 kB(8 k*8 bit)的高速低功耗静态随机存取存储器(SRAM)。分析了影响存储器性能和功耗的原因,并在电路布局上做了改进,将两个3-8译码器进行拆分与重组,降低了互连线的延迟和耦合作用;同时...
关键词：SRAM 灵敏放大器 预充电路 译码电路 功耗延时积 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部