原子间相互作用

作品数：89被引量：191H指数：9
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基于第一性原理计算的C、Si、Ge的原子间相互作用势及晶格动力学被引量：8
《Journal of Semiconductors》2002年第12期1275-1280,共6页刘英 陈难先 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (项目编号 :G2 0 0 0 0 6710 1)~~
运用第一原理赝势技术 ,计算了金刚石结构晶体 C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化 .根据陈氏三维晶格反演得到了 C- C、Si- Si、Ge- Ge的原子间相互作用对势 ;根据弹性系数的计算结果 ,确定了原子间相互作用的 MSW(m odifi...
关键词：第一性原理 陈氏三维晶格反演 原子间相互作用势 晶格动力学 半导体 碳硅锗三原子间 
Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构
《Journal of Semiconductors》1991年第9期525-529,共5页周煦炎 施丹华 曹培林 
国家自然科学基金
本文用原子集团模型和 ASED-MO方法,计算了K在Si(100)2 ×1面上不同吸附位置上的结合能和K-K相互作用能,从不同吸附结构下吸附能的计算结果,讨论了饱和覆盖度下的表面结构问题,支持了由两种类型的吸附K原子键组成的双层结构模型.
关键词：硅 钾元子 相互作用 吸附 表面结构 
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