杂散参数

作品数：51被引量：279H指数：9
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基于半桥模块的母排设计与并联IGBT均流分析
《电力电子技术》2021年第10期23-26,共4页张红波 周宏然 齐彦军 林卫星 
国家重点研发计划(2016YFB0901003);陕西省重点研发计划(2017ZDXM-GY-135)。
针对大容量储能变频器的并联绝缘栅双极型晶体管(IGBT)均流问题,首先建立半桥模块功率回路杂散参数与不均流度的数学模型,分析功率回路杂散参数对并联IGBT均流的影响。然后提出一种基于半桥模块的母排设计方案,借助Maxwell,PSIM仿真工...
关键词：储能变频器 绝缘栅双极型晶体管 半桥模块 杂散参数 
碳化硅MOSFET开关瞬态模型被引量：9
《电子设计工程》2021年第1期152-156,共5页夏逸骁 陶雪慧 
在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注。由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响。对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型。通过开关模型提取出其电压变...
关键词：碳化硅MOSFET 开关模型 电压电流变化率 杂散参数 
AN-1071应用指南——D类功放基础(一)
《电力电子》2005年第3期84-86,共3页Jun Honda Jonathan Adams 
如果我们在选择器件时很谨慎，并且考虑到精细的设计布线，因为杂散参数有很大的影响，那么目前高效D类功放可以提供和传统的AB类功放类似的性能。半导体技术不断创新使得效率提高，功率密度增加和较好的音响效果，增加了D类功放的运用。
关键词：D类功放 基础 指南 应用 半导体技术 杂散参数 音响效果 功率密度 AB类 
IGBT特性及其在变频器中的应用被引量：1
《煤矿机械》2004年第2期118-120,共3页孔祥春  李树起  
绝缘门极双极性晶体管IGBT,由于其优良的开关特性和通态特性,在变频器中得到广泛的应用.从应用的角度阐述IGBT的特性、作用机理及分析杂散参数对器件的影响,给出保证其可靠运行所采取的措施.
关键词：IGBT 变频器 杂散参数 
Blumlein型方波发生器中杂散参数对输出方波的影响分析被引量：2
《核电子学与探测技术》2002年第2期190-192,共3页马连英 曾正中 费国强 蒯斌 梁天学 
着重对 Blumlein型方波发生器中几个杂散参数对输出方波前沿及波形的影响进行了详细的分析 。
关键词：Blumlein型 方波发生器 杂散参数 设计 放电回路 电感 方波输出回路 脉冲前沿 
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