杂质态

作品数：54被引量：53H指数：4
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压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期848-855,共8页温淑敏 班士良 
国家自然科学基金(批准号:60566002);内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目~~
考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明...
关键词：量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能 极化子效应 
在外电场作用下有限抛物量子阱中类氢杂质态结合能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期830-833,共4页赵凤岐 萨茹拉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10364003)~~
采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表明,外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影...
关键词：抛物量子阱 类氢杂质态 外电场 结合能 
压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第1期63-67,共5页温淑敏 班士良 
国家自然科学基金(批准号:60566102);内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目~~
考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝...
关键词：量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能 
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