类氢杂质态

作品数：14被引量：25H指数：3
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InGaN/GaN多层球形核壳结构量子点中类氢杂质态的结合能被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2021年第2期136-142,共7页谢慧 邢雁 
国家自然科学基金(12064031);内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJZZ19001)。
在有效质量近似下,采用有限差分法研究了InGaN/GaN/InGaN/GaN球形核壳量子点中类氢杂质基态和激发态的结合能,数值计算了杂质态结合能随量子点核半径、壳层厚度和阱宽的变化关系。结果表明,核半径和阱宽对杂质态结合能的影响显著,随着...
关键词：核壳量子点 结合能 类氢杂质态 
量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响被引量：1
《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》2012年第2期102-104,共3页蒋逢春 苏玉玲 李俊玉 
河南省基础与前沿技术研究计划项目(102300410108);河南省教育厅自然科学研究计划项目(2011A140028);郑州轻工业学院重大预研基金项目(2009XYYJJ006)
在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量...
关键词：INGAN/GAN 量子点 类氢杂质态 变分法 量子尺寸效应 束缚能 
闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态
《河南师范大学学报（自然科学版）》2011年第4期43-45,共3页楚兴丽 王艳文 
国家自然科学基金(10674042);河南省创新型科技人才队伍建设工程(104200510014)
在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增...
关键词：耦合量子点 类氢杂质态 施主 束缚能 
准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性
《功能材料》2011年第S4期666-669,673,共5页张立 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(60906042);广州市属高校"羊城学者"科研资助项目(10B010D)
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的...
关键词：GAN纳米线 结合能 变分方法 杂质态 
GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢杂质态的性质
《华北煤炭医学院学报》2010年第3期314-315,共2页王广新 段秀芝 高永春 侯淑莲 
河北省自然科学基金资助课题(批准号:A2005000147)
①目的研究自组织GaAs/AlxGa1-xAs量子环中类氢杂质结合能随量子环外径、高度以及杂质径向位置变化的规律。②方法本文运用变分法,根据有效质量近似理论,对量子环中类氢施主杂质态的性质进行讨论。③结果随量子环外径的增大,杂质结合能...
关键词：量子环 变分法 类氢杂质 结合能 
闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能被引量：4
《原子与分子物理学报》2010年第1期173-176,共4页楚兴丽 张莹 
国家自然科学基金(10674042);河南师范大学2009年青年科学基金
在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值...
关键词：量子点 类氢杂质态 施主 束缚能 
Ⅲ族氮化物量子点中类氢杂质态结合能被引量：3
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》2008年第3期8-14,共7页郑冬梅 王宗篪 
三明学院物理学优势学科建设项目(YSXK0602)
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN,In xGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(量子点高度L和量子点半径R)、Al或In含量和类氢杂质位...
关键词：类氢杂质 量子点 结合能 
In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中类氢杂质态结合能被引量：3
《三明学院学报》2008年第2期144-148,共5页郑冬梅 戴宪起 
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)I、n组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量...
关键词：类氢杂质态 InxGa1-xN/GaN量子点 结合能 
GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2008年第1期18-23,共6页皇甫艳芳 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10564003)
在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着...
关键词：杂质态 电场强度 量子点尺寸 结合能 斯塔克效应 
在磁场作用下氮化物抛物量子阱中杂质态能量被引量：6
《光电子．激光》2006年第7期891-894,共4页萨茹拉 关玉琴 
国家自然科学基金资助项目(10364003);内蒙古师范大学青年科研基金资助项目(QN004032)
采用变分法研究了在外磁场作用下GaN/AlxGa1-xN无限抛物量子阱(PQW)中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明:外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影...
关键词：氮化物抛物量子阱(PQW) 类氢杂质态 外磁场 能量 
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