杂质态

作品数：54被引量：53H指数：4
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应变GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中杂质态的结合能被引量：2
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2010年第3期289-296,共8页张冬 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(10964006);教育部科学技术研究重点资助项目(208025)
在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂质位置的变化,讨论了应变对结合能的影响.数值计算表明,杂质态结合能随量子点半径的增大而减小,随量子点...
关键词：量子点 类氢杂质 内建电场 结合能 
外电场对压力下有限深量子阱中杂质态结合能的影响
《内蒙古工业大学学报（自然科学版）》2009年第3期182-187,共6页温淑敏 
内蒙古工业大学校基金资助项目(X200834)
考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结...
关键词：量子阱 屏蔽 压力 杂质态 结合能 外电场 
GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应被引量：1
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2008年第1期18-23,共6页皇甫艳芳 闫祖威 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10564003)
在有效质量近似下,利用微扰—变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着...
关键词：杂质态 电场强度 量子点尺寸 结合能 斯塔克效应 
在外电场作用下有限抛物量子阱中类氢杂质态结合能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期830-833,共4页赵凤岐 萨茹拉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10364003)~~
采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表明,外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影...
关键词：抛物量子阱 类氢杂质态 外电场 结合能 
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