双量子阱

作品数：46被引量：71H指数：5
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半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性被引量：1
《半导体光电》2001年第1期12-14,共3页胡贵军 石家纬 张素梅 张锋刚 李红岩 
教育部高等学校国家重点实验室访问学者基金项目;华为科技基金资助项目
测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V -I特性。结果表明 ,小注入情况下 ,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为 1/f特性 ,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。
关键词：半导激光器 电噪声 非辐射电流 双量子阱 
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