探测器芯片

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相关机构:中国科学院中国电子科技集团第十一研究所昆明物理研究所武汉高芯科技有限公司更多>>
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长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究
《激光与红外》1998年第3期180-182,共3页盛海云 贾宝军 孙海燕 王官俊 
在长波光导碲镉汞器件研制过程中,表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期,表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ZnS复合钝化实验,得到了比较可靠的表面钝化层,并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化探测器芯片,...
关键词:阳极氧化 复合钝化 光导 探测器 芯片 
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