提拉法生长

作品数：95被引量：166H指数：6
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提拉法生长超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究被引量：2
《中国照明电器》2017年第10期10-12,共3页赵绪尧 孙敦陆 张会丽 方忠庆 权聪 程毛杰 
国家重点研发计划(2016YFB1102301);电子工程学院脉冲功率激光技术重点实验室开放基金(SKL2015KF01)
采用提拉法生长得到了新型超宽禁带透明半导体材料β-Ga_2O_3单晶,对其进行了物相分析和结晶质量的表征。XRD测试结果显示所获得的晶体为单一β相,晶体摇摆曲线半峰宽为3.48',峰形对称,表明具有较高的结晶质量。测试了晶体的透过光谱和...
关键词：β-Ga2O3单晶 提拉法 宽禁带半导体 
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