体电阻

作品数：50被引量：58H指数：5
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SOI动态阈值MOS器件结构改进
《微电子学》2009年第2期280-284,共5页宋文斌 毕津顺 韩郑生 
国家基础研究重大项目基金资助(206CB3027-01)
传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性,这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一。有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻,但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性...
关键词：绝缘体上硅 动态阈值场效应管 体电容 体电阻 
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