铁电电容

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氧化铪基铁电电容的唤醒-疲劳效应与相结构演变
《电子显微学报》2024年第3期277-282,共6页辛天骄 王怡炜 高兆猛 郑赟喆 郑勇辉 成岩 
国家自然科学基金资助项目(Nos.62174054,92064003,62104071,12134003);上海市自然科学基金资助项目(No.23ZR1418000);中国科学院战略性先导科技专项(No.XDB44000000).
掺杂氧化铪(HfO_(2))铁电薄膜具有优异的尺寸微缩特性与良好的半导体工艺兼容性,其铁电电容结构兼容主流动态随机存取存储架构,是新型存储器介质材料的有力候选者。HfO_(2)基铁电电容随电学读写操作(循环)次数的增加,其代表“0”和“1...
关键词:掺杂氧化铪 铁电存储 唤醒 疲劳 失效 
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