电感电容压控振荡器

作品数：29被引量：45H指数：3
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一种LC-VCO1/f^3相位噪声优化方法
《半导体技术》2015年第11期825-828,855,共5页霍允杰 王海永 陈岚 
国家科技重大专项资助项目(2014ZX03001002-003)
建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了...
关键词：相位噪声 低功耗 电感电容压控振荡器(LC-VCO) 跨导效率 有效截止频率 
3.7GHz宽带CMOS LC VCO的设计被引量：1
《半导体技术》2008年第12期1126-1129,共4页王云峰 叶青 满家汉 吴永俊 陈勇 叶甜春 
设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm。测...
关键词：电感电容压控振荡器 宽带 片上电感 射频开关 锁相环 
CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点被引量：2
《半导体技术》2007年第1期21-25,共5页宁彦卿 王志华 陈弘毅 
国家自然科学基金资助项目(60475018;60372021);国家重点基础研究发展(973)计划资助项目(G2000036508)
在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年...
关键词：互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带 
自调谐VCO频段选择技术比较与设计被引量：2
《半导体技术》2005年第10期54-57,72,共5页黄水龙 王志华 
国家高技术863重大专项(2002AA1Z1720)国家重大基础研究973项目(G2000036508)
系统分析了自凋谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点, 设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构。该压控振荡器用5层金属O.25 μm的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V...
关键词：电感电容压控振荡器 自调谐 变容管 
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