电流注入

作品数:189被引量:870H指数:17
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相关作者:魏光辉潘晓东陈向跃卢新福孙蓓云更多>>
相关机构:中国科学院东南大学西北核技术研究所哈尔滨工业大学更多>>
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2.45 GHz有源标签接收机中的下变频混频器被引量:1
《微电子学》2016年第4期433-436,共4页肖谧 罗锋 
国家自然科学基金资助项目(61474081)
设计了一种用于2.45GHz有源标签接收机的低中频正交下变频混频器。改进了传统的吉尔伯特结构,采用了共享跨导正交结构和电流注入技术,以提高混频器的增益,减小混频器的噪声。该混频器采用UMC 0.18μm CMOS工艺设计。仿真结果表明,该混...
关键词:有源标签 下变频混频器 共享跨导正交结构 电流注入 
用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量:1
《微电子学》2011年第4期484-487,共4页张伟 刘盛富 张书霖 陈磊 赖宗声 
国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001-02);上海市科委项目(09700713800);上海市重点学科建设项目(B411);纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心(NPAI)项目
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源...
关键词:上变频混频器 电流注入 多双曲正切 SiGe BICMOS WCDMA 
一种适用于低中频和零中频GPS接收机的CMOS混频器被引量:2
《微电子学》2010年第4期481-484,490,共5页武振宇 马成炎 叶甜春 庄海孝 
国家科技重大专项基金资助项目(2009ZX01031-002-008)
基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可用于低中频和零中频GPS接收机的CMOS正交混频器。通过固定电流注入技术,减小了混频器的噪声系数。将混频器的开关管偏置在线性区,可进一步降低混频器的1/f噪声,适用于零中频接收机。在1.8 V的工作...
关键词:CMOS 零中频 混频器 电流注入 
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器被引量:1
《微电子学》2009年第6期811-814,共4页程知群 李进 傅开红 周云芳 徐胜军 张胜 
国家自然科学基金资助项目(60776052)
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺...
关键词:吉尔伯特混频器 电流注入 闪烁噪声 增益 
电流注入CMOS混频器的设计及特性分析被引量:6
《微电子学》2007年第6期806-810,共5页褚云飞 孙玲玲 文进才 
分析并比较了两种基于电流注入技术的混频器的性能;定量地解释了跨导互补的电流注入混频器线性降低的原因。分析表明,相对于双平衡Gilbert混频器,两种基于Gilbert单元的电流注入混频器的性能,如增益、噪声和线性,都有所改善;传统电流注...
关键词:CMOS 混频器 电流注入 
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