电平位移

作品数:20被引量:40H指数:4
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相关作者:张波方健王卓乔明周泽坤更多>>
相关机构:电子科技大学松下电器产业株式会社成都博思微科技有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊:《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》《今日电子》《电子产品世界》更多>>
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ModularBCD 12V摆率控制负荷开关——集成电平位移和压摆率控制功能,极大减少外围器件
《今日电子》2007年第6期102-102,共1页
AAT4285是一款P通道MOSFET开关,可以在3.0~13.2V的输入电压范围内运行,能提供一个100μs快速负荷开关接通时间,其快速关闭负荷放电能力使得AAT4285能够在开关失效时,快速关闭负载电路。
关键词:负荷开关 控制功能 外围器件 压摆率 率控制 位移 电平 集成 
一种高共模抑制比恒定跨导运算放大器被引量:4
《微电子学》2007年第2期242-245,共4页朱莹 李丽 杨盛光 何书专 张川 
国家自然科学基金资助项目(90307011);江苏省高技术研究资助项目(BG2005030)
介绍了一种基于电平位移技术实现恒定跨导的CMOS Rail-to-Rail运算放大器。该电路克服了一般运算放大器输入共模范围小的特点,输入级引入了电平位移电路,使运放在各种输入共模电压下的跨导几乎恒定。在此基础上,设计了一种具有高共模抑...
关键词:恒定跨导 运算放大器 电平位移 共模抑制比 电源抑制比 
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