电子结构和性质

作品数：12被引量：27H指数：3
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过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究被引量：1
《科学技术与工程》2003年第3期310-311,共2页韩聚广 张鹏飞 
国家自然科学基金(20173055)
半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].
关键词：硅半导体团簇 电子结构 电荷转移微观机制 稳定性 过渡金属 AG IR RE 搀杂 
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