云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 电子转移器件

电子转移器件: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：关志强胡一平卢小泉刘静王伟更多>>; 相关机构：西北师范大学中国科学院天津大学天津工业大学更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划更多>>

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双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量: 《Journal of Semiconductors》2008年第1期136-139,共4页郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~; 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10...; 关键词：RSTT 高速化合物三端功能器件三端负阻器件热电子器件电子转移器件