无压烧结

作品数:342被引量:844H指数:12
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相关作者:周玉单英春徐久军杨辉郭兴忠更多>>
相关机构:中国科学院哈尔滨工业大学武汉理工大学清华大学更多>>
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TiB_2基复相陶瓷研究进展被引量:4
《材料导报》2015年第19期89-94,共6页刘国玺 李克智 张丛 
国防基础科研项目(A0920132020)
与单相TiB_2陶瓷相比,TiB_2基复相陶瓷具有更加优良的物理、化学性能,是一种极具应用前景的高温结构陶瓷,在切削刀具、耐磨部件、高温结构件、核反应堆的保护外壳以及电弧反应的阴极材料等方面都具有重要的应用价值,受到国内外研究人员...
关键词:TiB2基复相陶瓷 结构陶瓷 无压烧结 
造粒粉体对SiC陶瓷力学性能及微观组织的影响被引量:2
《陶瓷学报》2015年第3期250-255,共6页刘国玺 李克智 高晓菊 张丛 常永威 孟全胜 曲发增 
国防基础科研项目(项目编号:A0920132020)
采用无压烧结法制备Si C陶瓷,研究了4种不同Si C造粒粉对陶瓷烧结体力学性能的影响,采用激光粒度仪检测了不同造粒粉体的粒度,利用SEM观察了不同造粒粉体及烧结体的微观形貌。试验结果表明:不同造粒粉对Si C陶瓷力学性能的影响差异较大...
关键词:无压烧结 SIC陶瓷 力学性能 显微结构 
超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷被引量:7
《硅酸盐学报》2008年第11期1629-1632,共4页徐光亮 宋春军 曹林洪 熊昆 
国防基础科研(A3120061156)资助项目
借助两面顶超高压设备,通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度>60%的SiC陶瓷生体。在低压流动氮气保护下,无压烧结获得了晶粒尺寸在200nm左右的高致密的SiC陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析。结果...
关键词:碳化硅 超高压成型 无压烧结 
超高压成型对碳化硅陶瓷微观结构的影响被引量:1
《中国粉体技术》2008年第5期30-33,共4页熊昆 徐光亮 宋春军 李冬梅 
国防基础科研项目;编号:A3120061156
以两面顶为成型设备,利用其超高压力(4.5GPa)来提高素坯的相对致密度,从而降低坯体的烧结温度、缩短烧结时间,并制备出高致密度的细晶碳化硅陶瓷。结果表明,经超高压成型后,碳化硅素坯的平均相对致密度为65.7%。与冷等静压成型后的坯体(...
关键词:碳化硅 超高压成型 无压烧结 微观结构 
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