线性响应理论

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空间低剂量率效应模拟方法研究
《核电子学与探测技术》2004年第4期427-430,440,共5页何宝平 王桂珍 龚建成 周辉 贺朝会 
一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差允许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相等;另一方面对美军标1019.4实验...
关键词：低剂量率 加速试验 退火 线性响应理论 电离损伤 阈值电压漂移量 MOS器件 
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