内插技术

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一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC
《微电子学》2022年第4期519-524,共6页刘建伟 姜俊逸 叶雅倩 杨曼琳 王鹏 王育新 付晓君 李儒章 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(6142802190101)。
采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC。该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2^(N)-1减少到2^(N-2)。与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无...
关键词：Flash ADC 时间比较器 4倍时间域内插技术 SR锁存器 
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