化学浸蚀

作品数：33被引量：36H指数：3
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有序Ni_3Al晶体中位错和晶界的化学浸蚀
《上海钢研》1996年第3期63-63,共1页陶正兴 
日本学者首先利用AIN和MnS作为初次再结晶阶段的晶粒长大抑制剂,并在二次再结晶阶段采用含N气氛,旨在生产出具有{110}<001>强织构的晶粒取向硅钢。近年来,采用在二次再结晶过程前将最终规格的硅钢片进行氮化(渗氮)的方法,使上述抑制作...
关键词：金属间化合物 镍铝合金 位错 晶界 化学浸蚀 
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