汞镉碲

作品数：44被引量：67H指数：4
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HgCdTe表面氧化特性被引量：2
《半导体光电》1997年第4期261-265,共5页李毅 易新建 
利用Ｘ射线光电子谱对ＨｇＣｄＴｅ表面氧化特性进行了研究，对不同工艺过程中的ＨｇＣｄＴｅ表面进行了测量、分析。结果表明ＨｇＣｄＴｅ表面的自生氧化与表面处理工艺密切相关，说明ＨｇＣｄＴｅ表面钝化前的表面预处理直接影响钝化...
关键词：半导体材料 汞镉碲 红外探测器 表面氧化 
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