雪崩电离

作品数：20被引量：54H指数：4
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相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
相关作者：闫志欣吕刚亓洪兴何志平潘明忠更多>>
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低光能触发的砷化镓光导开关导通机理被引量：1
《电工技术学报》2023年第22期6241-6252,共12页徐守利 刘京亮 胡龙 倪涛 许春良 
国家自然科学基金(52177156);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题(SKLIPR2004)资助项目。
该文建立了砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)的一维器件仿真模型,研究了低光能触发条件下电流通道内关键物理参数的瞬态变化过程,提出了GaAs PCSS的多雪崩电离畴物理模型,能够自洽地解释低光能触发、超快速导通和电压锁定等开关特征。GaAsPCS...
关键词：脉冲功率 光导开关 雪崩电离畴 低光能触发 亚纳秒 
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