云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 雪崩特性

雪崩特性: 作品数：12被引量：20H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：潘福泉关艳霞荣凡汤文扬武小年更多>>; 相关机构：力士科技股份有限公司沈阳工业大学无锡同方微电子有限公司佛山芯光半导体有限公司更多>>; 相关期刊：《变频技术应用》《现代电子技术》《生命科学仪器》《桂林电子科技大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金湖南省教育厅重点项目更多>>

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电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响: 《现代应用物理》2024年第6期102-109,共8页梁世维杨鑫陈家祺王俊; 国家自然科学基金资助项目(52207199);湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ30141);中央高校基本科研业务费(531118010924)。; 试验探索了电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响,发现SiC MOSFET器件的雪崩耐量随着电离辐射总剂量的增加而不断减小,当总剂量达到600 krad时,SiC MOSFET器件的雪崩耐量下降了25.21%。此外,还发现SiC MOSFET器件发生电...; 关键词：碳化硅 MOSFET 电离辐射总剂量效应雪崩特性鲁棒性可靠性