雪崩特性

作品数：12被引量：20H指数：3
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关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨
《电工技术》2019年第11期18-21,共4页王俊杰 郭清 盛况 
国家重点研发计划项目(编号2016YFB0100603);自然科学基金项目(编号51577169)
针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同...
关键词：SiCMOSFET 雪崩耐量 UIS测试 
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