半导体结构

作品数：54被引量：40H指数：3
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非对称双势垒结构中电子态的特异性
《Journal of Semiconductors》1995年第7期552-557,共6页宋爱民 郑厚植 
国家攀登计划重大项目
在包络波函数近似下自洽计算了非对称双势垒结构（ＤＢＳ）中的电子态，并正确得到了积累区和中央势阶中准束缚能级Ｅａｃ、Ｅｗｅ随偏压变化的反交叉过程．结果首次揭示了如果适当选取ＤＢＳ的入射垒厚度，随着外加电场不断增加，在过...
关键词：DBS 电子态 特异性 半导体结构 
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