半导体探测器

作品数:251被引量:509H指数:10
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相关作者:谭延亮袁红志欧阳晓平李正刘曼文更多>>
相关机构:清华大学中国科学院西北核技术研究所中国工程物理研究院更多>>
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波段外激光辐照光导型InSb探测器的一种新现象被引量:3
《物理学报》2012年第4期419-425,共7页郑鑫 江天 程湘爱 江厚满 陆启生 
国家重点基础研究发展计划(批准号:1030110)资助的课题~~
利用不同功率密度的10.6μm(光子能量为0.12 eV)连续激光辐照了禁带宽度为0.228 eV的光导型锑化铟探测器,得到了与以往报道不同的实验现象.当10.6μm波段外激光辐照光导型探测器时,探测器吸收激光能量后温度升高.在探测器的温升过程中,...
关键词:半导体探测器 波段外激光 光电导 迁移率 
高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计被引量:11
《物理学报》2011年第3期143-149,共7页王光强 王建国 童长江 李小泽 王雪锋 
国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA809403B)资助的课题~~
设计了一种基于半导体热电子效应的0.14THz高功率脉冲探测器.首先根据探测器的结构特点,分析了探测器的工作原理,并推导了探测器的相对灵敏度表达式.接着采用三维电磁场时域有限差分法,模拟计算了探测器的电压驻波比和线性区的相对灵敏...
关键词:高功率太赫兹脉冲 探测器 热电子 灵敏度 
组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器被引量:12
《物理学报》2008年第1期82-87,共6页张显鹏 欧阳晓平 张忠兵 田耕 陈彦丽 李大海 张小东 
提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理.这种组合的主要特点有:1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性;2)提高了...
关键词:SI PIN半导体探测器 灵敏度 N γ分辨 时间响应 
用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器被引量:8
《物理学报》2007年第3期1353-1357,共5页欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才 
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60mm,耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨...
关键词:大面积 电流型 半导体探测器 强度测量 
狭缝式高灵敏裂变中子探测系统被引量:17
《物理学报》2005年第10期4643-4647,共5页欧阳晓平 李真富 王群书 霍裕昆 马彦良 张前美 张国光 金玉仁 
研制了狭缝_外延式高灵敏大面积PIN裂变中子探测系统.其对14MeV,2·5MeV中子灵敏度可达10-16C·cm2,比原有典型的脉冲裂变中子探测系统高4个量级.采用外延式铅狭缝准直结构,研制灵敏区尺寸为60mm,厚度为200μm—300μm的大面积PIN半...
关键词:裂变中子探测系统 大面积PIN探测器 大面积裂变靶 高灵敏探测系统 探测系统 裂变中子 高灵敏度 狭缝式 半导体探测器 中子灵敏度 
电流型大面积PIN探测器被引量:16
《物理学报》2002年第7期1502-1505,共4页欧阳晓平 李真富 张国光 霍裕昆 张前美 张显鹏 宋献才 贾焕义 雷建华 孙远程 
研制了灵敏区面积为4 0 ,5 0和6 0mm ,耗尽层厚度为 2 0 0— 30 0 μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器 ,并对其物理性能进行了测量 .测试和应用表明 ,这些探测器性能稳定 ,漏电流符合使用要求 .与市场上的大面积PIN半导体探测...
关键词:电流型大面积PIN探测器 半导体探测器 辐射探测器 粒子研究 
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