云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 薄膜电阻器

薄膜电阻器: 作品数：32被引量：29H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电气工程电子电信更多>>; 相关作者：魏俊俊王超杰司旭蒋洪川张万里更多>>; 相关机构：微芯片技术股份有限公司电子科技大学德克萨斯仪器股份有限公司广州天极电子科技有限公司更多>>; 相关期刊：《功能材料》《电子科技文摘》《安徽电子信息职业技术学院学报》《工业设计》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金广东省教育部产学研结合项目更多>>

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退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响被引量：6: 《广州化工》2018年第14期39-42,共4页杨俊锋丁明建冯毅龙赖辉信庄严; 广州市珠江科技新星项目(201610010049); 通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N...; 关键词：电阻器薄膜热处理氮化钽

薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案被引量：3: 《今日电子》2009年第11期29-30,共2页Brian Mccabe Kory Schroeder; 当前的小型化趋势将电阻器技术推到了极限。例如，0201尺寸的片状电阻器仅封装就大约占到了元件总成本的60％。对某些在电路板上同一相邻位置使用相同电阻值的设计来说，片状元件阵列可以帮助缓解布局和封装问题。不过，这并不适用于所...; 关键词：薄膜电阻器渗透片状元件片状电阻器硫小型化总成本电阻值

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